Transistor bipolar 2SC2681-Q

Características del transistor 2SC2681-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 115 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 115 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 80 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SC2681-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SC2681-Q puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SC2681 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SC2681-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SC2681-Q puede estar marcado sólo como "C2681-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SC2681-Q es el 2SA1141-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SC2681-Q

Puede sustituir el 2SC2681-Q por el 2SD1716 o 2SD1716-P.
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