Transistor bipolar 2SB1253-P

Características del transistor 2SB1253-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -110 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -130 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 15000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SB1253-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1253-P puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 15000. La ganancia del 2SB1253 estará en el rango de 5000 a 30000, para el 2SB1253-Q estará en el rango de 8000 a 30000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1253-P puede estar marcado sólo como "B1253-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1253-P es el 2SD1893-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1253-P

Puede sustituir el 2SB1253-P por el 2SB1254, 2SB1254-P, 2SB1255, 2SB1255-P o 2SB1625.
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