Transistor bipolar 2SB1159-Q

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -140 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -140 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -7 A
• Disipación de Potencia Máxima: 80 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 60 a 120
• Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-3PF

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB1159-Q puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB1159 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB1159-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1159-S estará en el rango de 80 a 160.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1159-Q puede estar marcado sólo como "B1159-Q".El transistor NPN complementario del 2SB1159-Q es el 2SD1714-Q.Puede sustituir el 2SB1159-Q por el 2SA1673, 2SA1860, 2SA1909, 2SA1987, 2SB1056, 2SB1056-Q, 2SB1057, 2SB1057-Q, 2SB1160, 2SB1160-Q, 2SB1161, 2SB1161-Q o FJAF4210.