Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +125 °C
Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del 2SB1141-Q
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor 2SB1141-Q puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del 2SB1141 estará en el rango de 70 a 400, para el 2SB1141-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1141-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1141-T estará en el rango de 200 a 400.
Marcado
A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1141-Q puede estar marcado sólo como "B1141-Q".
Transistor NPN complementario
El transistor NPN complementario del 2SB1141-Q es el 2SD1681-Q.
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1141-Q