Transistor bipolar 2SB1127-T

Características del transistor 2SB1127-T

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -20 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -25 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 320 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +125 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1127-T

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1127-T puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SB1127 estará en el rango de 100 a 400, para el 2SB1127-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1127-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1127-T puede estar marcado sólo como "B1127-T".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1127-T

Puede sustituir el 2SB1127-T por el 2SA2196, 2SA2197, 2SB1140 o 2SB1140-T.
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