Transistor bipolar 2SB1121-R

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
• Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 100 a 200
• Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: SOT-89

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB1121-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1121 estará en el rango de 100 a 560, para el 2SB1121-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1121-T estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB1121-U estará en el rango de 280 a 560.El transistor 2SB1121-R está marcado como "BDR".El transistor NPN complementario del 2SB1121-R es el 2SD1621-R.Puede sustituir el 2SB1121-R por el 2DA1213, 2SA1213, 2SB1123, 2SB1123-R, 2SB1124 o 2SB1124-R.