Transistor bipolar 2SB1009-Q

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -32 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
• Disipación de Potencia Máxima: 10 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 120 a 270
• Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB1009-Q puede tener una ganancia de corriente de 120 a 270. La ganancia del 2SB1009 estará en el rango de 82 a 390, para el 2SB1009-P estará en el rango de 82 a 180, para el 2SB1009-R estará en el rango de 180 a 390.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1009-Q puede estar marcado sólo como "B1009-Q".El transistor NPN complementario del 2SB1009-Q es el 2SD1380-Q.Puede sustituir el 2SB1009-Q por el 2SA1214, 2SA715, 2SB1142, 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, 2SB986, BD132, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD376, BD378, KSB744, KSB744A, MJE232, MJE235, MJE371 o MJE371G.