Transistor bipolar 2SA900-Q

Características del transistor 2SA900-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -18 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -20 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 90 a 155
  • Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SA900-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA900-Q puede tener una ganancia de corriente de 90 a 155. La ganancia del 2SA900 estará en el rango de 90 a 470, para el 2SA900-R estará en el rango de 130 a 210, para el 2SA900-S estará en el rango de 180 a 280, para el 2SA900-T estará en el rango de 250 a 360, para el 2SA900-U estará en el rango de 330 a 470.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA900-Q puede estar marcado sólo como "A900-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA900-Q es el 2SC1568-Q.

Versión SMD del transistor 2SA900-Q

El BCX69 (SOT-89) y BCX69-10 (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2SA900-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA900-Q

Puede sustituir el 2SA900-Q por el 2SA496, 2SA715, 2SA738, 2SA885, 2SA885Q, 2SA985Q, 2SB1009, 2SB1009-P, 2SB1141, 2SB559, 2SB743, 2SB772, BD186, KSB772, KSE210, KSH772, KTA1705, MJE210, MJE210G o MJE370.
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