Transistor bipolar 2SA699-Q

Características del transistor 2SA699-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -32 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-202

Diagrama de pines del 2SA699-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA699-Q puede tener una ganancia de corriente de 80 a 160. La ganancia del 2SA699 estará en el rango de 50 a 220, para el 2SA699-P estará en el rango de 50 a 100, para el 2SA699-R estará en el rango de 100 a 220.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA699-Q puede estar marcado sólo como "A699-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA699-Q es el 2SC1226-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA699-Q

Puede sustituir el 2SA699-Q por el 2SA636, 2SA636-L, 2SA636A, 2SA636A-L, 2SA699A o 2SA699A-Q.
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