Transistor bipolar 2SA1170-Y

Características del transistor 2SA1170-Y

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -17 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: MT-200

Diagrama de pines del 2SA1170-Y

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1170-Y puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del 2SA1170 estará en el rango de 50 a 140, para el 2SA1170-O estará en el rango de 50 a 100.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1170-Y puede estar marcado sólo como "A1170-Y".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1170-Y es el 2SC2774-Y.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1170-Y

Puede sustituir el 2SA1170-Y por el 2SA1295, 2SA1295-Y, 2SA1494 o 2SA1494-P.
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