Transistor bipolar 2SA1169-O

Características del transistor 2SA1169-O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: MT-200

Diagrama de pines del 2SA1169-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1169-O puede tener una ganancia de corriente de 50 a 100. La ganancia del 2SA1169 estará en el rango de 50 a 180, para el 2SA1169-P estará en el rango de 70 a 140, para el 2SA1169-Y estará en el rango de 90 a 180.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1169-O puede estar marcado sólo como "A1169-O".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1169-O es el 2SC2773-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1169-O

Puede sustituir el 2SA1169-O por el 2SA1170, 2SA1170-O, 2SA1295, 2SA1295-O, 2SA1493, 2SA1493-O, 2SA1494 o 2SA1494-O.
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