Transistor bipolar 2N5812

Características del transistor 2N5812

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 35 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.75 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 150 a 500
  • Frecuencia máxima de trabajo: 135 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2N5812

El 2N5812 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el colector, la base y el emisor.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N5812 es el 2N5813.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5812

Puede sustituir el 2N5812 por el BC337 o BC338.
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