Transistor bipolar 2N5401S

Características del transistor 2N5401S

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Figura de ruido máxima: 8 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del 2N5401S

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor 2N5401S está marcado como "ZE".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2N5401S es el 2N5551S.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5401S

Puede sustituir el 2N5401S por el MMBT5401.
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