Transistor bipolar 2N5191G
Características del transistor 2N5191G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 25 a 100
- Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- El 2N5191G es la versión sin plomo del transistor 2N5191
Diagrama de pines del 2N5191G
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5191G
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