Bipolartransistor ZTX688B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 12 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 12 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 1.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 400
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
• Gehäuse: TO-92

Der ZTX688B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor ZTX688B durch einen ZTX689B ersetzen.