Bipolartransistor TIP51
Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP51
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 350 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-247
Pinbelegung des TIP51
Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP51
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