Bipolartransistor TIP35CP
Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP35CP
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
- Verlustleistung, max: 125 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 50
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des TIP35CP
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP35CP
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