Bipolartransistor TIP33B

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP33B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des TIP33B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP33B ist der TIP34B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP33B

Sie können den Transistor TIP33B durch einen BD745B, BD745C, BDV93, BDV95, NTE390, TIP33C oder TIP35CA ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com