Bipolartransistor TIP31G

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP31G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 50
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der TIP31G ist die bleifreie Version des TIP31-Transistors

Pinbelegung des TIP31G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP31G ist der TIP32G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP31G

Sie können den Transistor TIP31G durch einen BDT31, BDT31A, BDT31B, TIP31, TIP31A, TIP31AG, TIP31B oder TIP31BG ersetzen.
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