Bipolartransistor TIP31F

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP31F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 50
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des TIP31F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP31F ist der TIP32F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP31F

Sie können den Transistor TIP31F durch einen 2N6497, 2N6498, KSE13004, KSE13006 oder MJE13006 ersetzen.
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