Bipolartransistor PMBTA13
Elektrische Eigenschaften des Transistors PMBTA13
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 5000
- Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular MPSA13 transistor
Pinbelegung des PMBTA13
Kennzeichnung
Transistor PMBTA13 im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor PMBTA13
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