Bipolartransistor PMBT6429
Elektrische Eigenschaften des Transistors PMBT6429
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 55 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 650
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2N6429 transistor
Pinbelegung des PMBT6429
Transistor PMBT6429 im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor PMBT6429
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