Bipolartransistor NTE199

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.36 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 400 bis 1200
• Rauschzahl, max: 3 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der NTE199 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor NTE199 durch einen 2SC2396, 2SC2543, 2SC2545, 2SC2546, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923, BC182LB oder KTC1006 ersetzen.