Bipolartransistor NTE191

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE191

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 45 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des NTE191

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum NTE191 ist der NTE240.

SMD-Version des Transistors NTE191

Der KST42 (SOT-23), MMBTA42 (SOT-23) und PZTA42 (SOT-223) ist die SMD-Version des NTE191-Transistors.
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