Bipolartransistor NTE190

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE190

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 35 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des NTE190

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors NTE190

Der FZT696B (SOT-223) und KST43 (SOT-23) ist die SMD-Version des NTE190-Transistors.
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