Bipolartransistor NTE186
Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE186
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 12.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 220
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-202
Pinbelegung des NTE186
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors NTE186
Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE186
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