Bipolartransistor NTE186

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE186

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des NTE186

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum NTE186 ist der NTE187.

SMD-Version des Transistors NTE186

Der NZT560 (SOT-223) ist die SMD-Version des NTE186-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE186

Sie können den Transistor NTE186 durch einen 2SC1098A ersetzen.
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