Bipolartransistor NTE179

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE179

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -2 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -25 A
  • Verlustleistung, max: 106 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 65 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +110 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des NTE179

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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