Bipolartransistor NTE129P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 0.85 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-237

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE129P ist der NTE128P.Der 2SA1368 (SOT-89), 2SB805 (SOT-89) und 2SD1006 (SOT-89) ist die SMD-Version des NTE129P-Transistors.