Bipolartransistor MMBT3904TT1G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT3904TT1G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-416
  • Der MMBT3904TT1G ist die bleifreie Version des MMBT3904TT1-Transistors

Pinbelegung des MMBT3904TT1G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MMBT3904TT1G-Transistor ist als "AM" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT3904TT1G

Sie können den Transistor MMBT3904TT1G durch einen MMBT3904TT1 ersetzen.
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