Bipolartransistor MJE210G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE210G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 45 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der MJE210G ist die bleifreie Version des MJE210-Transistors

Pinbelegung des MJE210G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE210G

Sie können den Transistor MJE210G durch einen KSE210 oder MJE210 ersetzen.
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