Bipolartransistor MJE200G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE200G

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
Verlustleistung, max: 15 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 45 bis 180
Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Der MJE200G ist die bleifreie Version des MJE200-Transistors

Pinbelegung des MJE200G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE200G

Sie können den Transistor MJE200G durch einen KSE200 oder MJE200 ersetzen.

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