Bipolartransistor MJE18006

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 14 bis 34
• Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJE18006 durch einen 2SC3056A, MJE18006G, MJE18008, MJE18008G, MJF18006, MJF18006G, MJF18008 oder MJF18008G ersetzen.Der MJE18006G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE18006.