Bipolartransistor MJE13003B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 10 bis 30
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der MJE13003B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.