Bipolartransistor MJD3055-1G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD3055-1G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
- Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-251
- Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor
- Der MJD3055-1G ist die bleifreie Version des MJD3055-1-Transistors
Pinbelegung des MJD3055-1G
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD3055-1G
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