Bipolartransistor MJ12003

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ12003

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 750 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 1500 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 100 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 6
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ12003

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ12003

Sie können den Transistor MJ12003 durch einen MJ12004, MJ12005, MJ8503 oder MJ8505 ersetzen.

Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com