Bipolartransistor M8050

Elektrische Eigenschaften des Transistors M8050

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des M8050

Der M8050 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor M8050 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des M8050-C liegt im Bereich von 120 bis 200, die des M8050-D im Bereich von 160 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum M8050 ist der M8550.

SMD-Version des Transistors M8050

Der FMMT449 (SOT-23) ist die SMD-Version des M8050-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor M8050

Sie können den Transistor M8050 durch einen 2SD471A, KSD471A, MPS650, MPS650G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, PN2222A, SS8050, ZTX449 oder ZTX450 ersetzen.
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