Bipolartransistor M28S
Elektrische Eigenschaften des Transistors M28S
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 1000
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des M28S
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Ersatz und Äquivalent für Transistor M28S
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com