Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC9015B
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
Rauschzahl, max: 1 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTC9015B
Der KTC9015B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC9015B kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC9015 liegt im Bereich von 60 bis 1000, die des KTC9015A im Bereich von 60 bis 150, die des KTC9015C im Bereich von 200 bis 600.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KTC9015B ist der KTC9014B.