Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC9012G
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 118 bis 166
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Rauschzahl, max: 1 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KTC9012G
Der KTC9012G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC9012G kann eine Gleichstromverstärkung von 118 bis 166 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC9012 liegt im Bereich von 64 bis 246, die des KTC9012D im Bereich von 64 bis 91, die des KTC9012E im Bereich von 78 bis 112, die des KTC9012F im Bereich von 96 bis 135, die des KTC9012H im Bereich von 144 bis 202, die des KTC9012I im Bereich von 176 bis 246.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KTC9012G ist der KTC9013G.
SMD-Version des Transistors KTC9012G
Der 2SA1036 (SOT-23) und 2SA1036-P (SOT-23) ist die SMD-Version des KTC9012G-Transistors.
