Bipolartransistor KTC8550S-C

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC8550S-C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular KTC8550C transistor

Pinbelegung des KTC8550S-C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC8550S-C kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC8550S liegt im Bereich von 100 bis 300, die des KTC8550S-D im Bereich von 150 bis 300.

Kennzeichnung

Der KTC8550S-C-Transistor ist als "BLC" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTC8550S-C ist der KTC8050S-C.

Transistor KTC8550S-C im TO-92-Gehäuse

Der KTC8550C ist die TO-92-Version des KTC8550S-C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC8550S-C

Sie können den Transistor KTC8550S-C durch einen 2SA1621, 2SA1621-O, BCW67, BCW67A, BCW68, BCW68F, FMMT549, FMMT591, FMMT591Q, KTA1298, KTA1298-O, MMBT2907, MMBT2907A, MMBT4354 oder MMBT4355 ersetzen.
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