Bipolartransistor KTC3227O
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3227O
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.4 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des KTC3227O
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors KTC3227O
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC3227O
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