Bipolartransistor KTC2020D-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2020D-Y

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des KTC2020D-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2020D-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2020D liegt im Bereich von 100 bis 300, die des KTC2020D-GR im Bereich von 150 bis 300.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC2020D-Y ist der KTA1040D-Y.

SMD-Version des Transistors KTC2020D-Y

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTC2020D-Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC2020D-Y

Sie können den Transistor KTC2020D-Y durch einen 2SC3303, 2SD1221, 2SD1221-Y, 2SD1252, 2SD1252A, 2SD1253, 2SD1253A, 2SD1254, 2SD1255, 2SD1256, 2SD1257, 2SD1257A oder KTC2022D ersetzen.
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