Bipolartransistor KSP8599C
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSP8599C
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSP8599C
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
SMD-Version des Transistors KSP8599C
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSP8599C
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