Bipolartransistor KSE13009H1

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13009H1

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8 bis 17
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSE13009H1

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13009H1 kann eine Gleichstromverstärkung von 8 bis 17 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13009 liegt im Bereich von 8 bis 40, die des KSE13009H2 im Bereich von 15 bis 28.

Kennzeichnung

Der KSE13009H1-Transistor ist als "E13009-1" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE13009H1

Sie können den Transistor KSE13009H1 durch einen FJP13009, FJP13009H1, MJE13009 oder MJE13009G ersetzen.
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