Bipolartransistor KSE13001

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.6 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KSE13001 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts,
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSE13001 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13001-O liegt im Bereich von 55 bis 80, die des KSE13001-R im Bereich von 40 bis 65.