Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD2058-G
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des KSD2058-G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSD2058-G kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD2058 liegt im Bereich von 60 bis 300, die des KSD2058-O im Bereich von 60 bis 120, die des KSD2058-Y im Bereich von 100 bis 200.
SMD-Version des Transistors KSD2058-G
Der BDP949 (SOT-223) und FZT692B (SOT-223) ist die SMD-Version des KSD2058-G-Transistors.