Bipolartransistor KSC5026M-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5026M-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular KSC5026-O transistor

Pinbelegung des KSC5026M-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC5026M-O kann eine Gleichstromverstärkung von 20 bis 40 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5026M liegt im Bereich von 10 bis 40, die des KSC5026M-N im Bereich von 10 bis 20, die des KSC5026M-R im Bereich von 15 bis 30.
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