Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC2690A-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.2 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 155 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des KSC2690A-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC2690A-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC2690A liegt im Bereich von 60 bis 320, die des KSC2690A-R im Bereich von 60 bis 120, die des KSC2690A-Y im Bereich von 160 bis 320.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC2690A-O ist der KSA1220A-O.
SMD-Version des Transistors KSC2690A-O
Der 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), KST5551 (SOT-23) und MMBT5551 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC2690A-O-Transistors.
