Bipolartransistor FJPF5027-N

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJPF5027-N

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 800 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 20
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular KSC5027-N transistor

Pinbelegung des FJPF5027-N

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJPF5027-N kann eine Gleichstromverstärkung von 10 bis 20 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJPF5027 liegt im Bereich von 10 bis 40, die des FJPF5027-O im Bereich von 20 bis 40, die des FJPF5027-R im Bereich von 15 bis 30.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJPF5027-N

Sie können den Transistor FJPF5027-N durch einen 2SC3150, 2SC3150-K, 2SC3457, 2SC3457-L, 2SC3752, 2SC3752-K, 2SC3866, KSC5027, KSC5027-N, KSC5027F, KSC5027F-N oder MJE8503 ersetzen.
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