Bipolartransistor FJAF4210R

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJAF4210R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des FJAF4210R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJAF4210R kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJAF4210 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des FJAF4210O im Bereich von 70 bis 140, die des FJAF4210Y im Bereich von 90 bis 180.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FJAF4210R ist der FJAF4310R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJAF4210R

Sie können den Transistor FJAF4210R durch einen 2SA1673, 2SA1673-O, 2SA1860, 2SA1860-O, 2SA1909 oder 2SA1909-O ersetzen.
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